SIR440DP-T1-GE3 دیتاشیت

SIR440DP-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIR440DP-T1-GE3
حجم فایل 88.52 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت SIR440DP-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIR440DP-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 6.25W;104W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 150nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6000pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.55mΩ@10V,20A
  • Package: PowerPAK-SO-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه